IS62WV12816EALL-55BLI-TR
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| Numero di parte | IS62WV12816EALL-55BLI-TR |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC SRAM 2M PARALLEL 48MGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.869 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IS62WV12816EALL-55BLI-TR | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM 2M PARALLEL 48MGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 35830 pcs | Scheda dati | IS(62,65)WV12816E(A,B)LL |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 45ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.65 V ~ 2.2 V | Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Serie | - | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 2Mb (128K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 45ns |
| Tempo di accesso | 45ns |
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