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MURTA600120R

MURTA600120R
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Numero di parte MURTA600120R
fabbricante GeneSiC Semiconductor
Descrizione DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1189 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		18 pcs
$30.525

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Numero di parte MURTA600120R fabbricante GeneSiC Semiconductor
Descrizione DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1189 pcs Scheda dati MURTA60060 thru MURTA600120R
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 2.6V @ 300A
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200V Contenitore dispositivo fornitore Three Tower
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie -
imballaggio Bulk Contenitore / involucro Three Tower
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo montaggio Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo diodo Standard
Configurazione diodo 1 Pair Common Anode Descrizione dettagliata Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 300A Chassis Mount Three Tower
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25µA @ 1200V Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 300A

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