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MURTA40060R

MURTA40060R
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Numero di parte MURTA40060R
fabbricante GeneSiC Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1105 pcs
Prezzo di Riferimento
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$28.183

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Numero di parte MURTA40060R fabbricante GeneSiC Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1105 pcs Scheda dati MURTA40060 thru MURTA400120R
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7V @ 200A
Tensione - inversa (Vr) (max) 600V Contenitore dispositivo fornitore Three Tower
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie -
imballaggio Bulk Contenitore / involucro Three Tower
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo montaggio Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo diodo Standard
Configurazione diodo 1 Pair Common Anode Descrizione dettagliata Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 200A Chassis Mount Three Tower
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25µA @ 600V Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 200A

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