GA10JT12-263
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| Numero di parte | GA10JT12-263 |
|---|---|
| fabbricante | GeneSiC Semiconductor |
| Descrizione | TRANS SJT 1200V 25A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 250 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $8.469 | $7.70 | $7.123 | $6.545 | $5.968 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | GA10JT12-263 | fabbricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS SJT 1200V 25A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 6276 pcs | Scheda dati | GA10JT12-263 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | - | Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Contenitore dispositivo fornitore | - | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 120 mOhm @ 10A | Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | - |
| Altri nomi | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V | Tipo FET | - |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V | Descrizione dettagliata | 1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
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