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GA10JT12-247

GA10JT12-247
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Numero di parte GA10JT12-247
fabbricante GeneSiC Semiconductor
Descrizione TRANS SJT 1.2KV 10A
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4364 pcs
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Numero di parte GA10JT12-247 fabbricante GeneSiC Semiconductor
Descrizione TRANS SJT 1.2KV 10A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4364 pcs Scheda dati GA10JT12-247
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) - Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AB Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 140 mOhm @ 10A Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi 1242-1187
GA10JT12247		 temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo FET -
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -
Tensione drain-source (Vdss) 1200V Descrizione dettagliata 1200V 10A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)

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  • Parte#:GA101
  • Produttori:Microsemi
  • Descrizione:DIODE SCR PLANAR 60V TO-18
  • Disponibile:1937
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