MB85R256GPF-G-BND-ERE1
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| Numero di parte | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
|---|---|
| fabbricante | Fujitsu Electronics America, Inc. |
| Descrizione | IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | fabbricante | Fujitsu Electronics America, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4526 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 150ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Serie | - | temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | FRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns | Tempo di accesso | 150ns |
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