MB85R256FPF-G-BNDE1
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| Numero di parte | MB85R256FPF-G-BNDE1 |
|---|---|
| fabbricante | Fujitsu Electronics America, Inc. |
| Descrizione | IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MB85R256FPF-G-BNDE1 | fabbricante | Fujitsu Electronics America, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5444 pcs | Scheda dati | MB85R256F |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 150ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 28-SOP | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) |
| Altri nomi | 865-1171 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria | Non-Volatile | Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | FRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-SOP |
| Tempo di accesso | 150ns |
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