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SQM40N15-38_GE3

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Numero di parte SQM40N15-38_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 68765 pcs
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Numero di parte SQM40N15-38_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 150V 40A TO263 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 68765 pcs Scheda dati SQM40N15-38
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 38 mOhm @ 15A, 10V Dissipazione di potenza (max) 166W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SQM40N15-38-GE3
SQM40N15-38-GE3-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3390pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 150V Descrizione dettagliata N-Channel 150V 40A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)

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  • Parte#:SQM300JB-9R1
  • Produttori:Yageo
  • Descrizione:RES WW 3W 5% TH
  • Disponibile:610803
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