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SQM40010EL_GE3

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Numero di parte SQM40010EL_GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 40728 pcs
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Numero di parte SQM40010EL_GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 40728 pcs Scheda dati SQM40010EL
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 1.6 mOhm @ 30A, 10V Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SQM40010EL_GE3DKR temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17100pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

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