SQD50P08-28_GE3
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| Numero di parte | SQD50P08-28_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.452 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQD50P08-28_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 84249 pcs | Scheda dati | SQD50P08-28 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252AA | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 28 mOhm @ 12.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6035pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 80V 48A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
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