SQD50N10-8M9L_GE3
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| Numero di parte | SQD50N10-8M9L_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 100V TO252 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.705 | $0.624 | $0.493 | $0.383 | $0.302 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQD50N10-8M9L_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHAN 100V TO252 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 72823 pcs | Scheda dati | SQD50N10-8M9L |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252 | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 15A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | SQD50N10-8M9L_GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2950pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
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