SQ3585EV-T1_GE3
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| Numero di parte | SQ3585EV-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.57 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQ3585EV-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 57590 pcs | Scheda dati | SQ3585EV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 77 mOhm @ 1A, 4.5V, 166 mOhm @ 1A, 4.5V | Potenza - Max | 1.67W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) 1.67W Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) |
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