SQ3427EEV-T1-GE3
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| Numero di parte | SQ3427EEV-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQ3427EEV-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4275 pcs | Scheda dati | SQ3427EEV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 82 mOhm @ 4.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi | SQ3427EEV-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1125pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | P-Channel 60V 5.5A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
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