SIR798DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SIR798DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIR798DP-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 4733 pcs | Scheda dati | SIR798DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.05 Ohm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SIR798DP-T1-GE3-ND SIR798DP-T1-GE3TR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5050pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 60A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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