SIR770DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SIR770DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.517 | $0.458 | $0.362 | $0.281 | $0.222 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIR770DP-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 107168 pcs | Scheda dati | SIR770DP-T1-GE3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.8V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V | Potenza - Max | 17.8W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi | SIR770DP-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
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