SIHB15N50E-GE3
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| Numero di parte | SIHB15N50E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.161 | $1.048 | $0.842 | $0.655 | $0.543 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHB15N50E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 72057 pcs | Scheda dati | SIHB15N50E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 280 mOhm @ 7.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1162pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 14.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 14.5A (Tc) |
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