SIHB12N65E-GE3
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| Numero di parte | SIHB12N65E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.202 | $1.085 | $0.872 | $0.678 | $0.562 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHB12N65E-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 65235 pcs | Scheda dati | 09644147236, 37DrawingSIHB12N65E-GE3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | SIHB12N65E-GE3CT SIHB12N65E-GE3CT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1224pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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