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SIA445EDJT-T1-GE3

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Numero di parte SIA445EDJT-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Stato Lead senza piombo / RoHS
In Stock 364926 pcs
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Numero di parte SIA445EDJT-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile 364926 pcs Scheda dati SIA445EDJT
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Single Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 16.7 mOhm @ 7A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 19W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro PowerPAK® SC-70-6
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2180pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)

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