SI8819EDB-T2-E1
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| Numero di parte | SI8819EDB-T2-E1 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.046 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI8819EDB-T2-E1 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 507478 pcs | Scheda dati | SI8819EDB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V | Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
| Contenitore / involucro | 4-XFBGA | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 8V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 3.7V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V | Descrizione dettagliata | P-Channel 12V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
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