SI8812DB-T2-E1
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| Numero di parte | SI8812DB-T2-E1 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.06 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI8812DB-T2-E1 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 324863 pcs | Scheda dati | Si8812DB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±5V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-Microfoot | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 59 mOhm @ 1A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 4-UFBGA |
| Altri nomi | SI8812DB-T2-E1TR SI8812DBT2E1 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 8V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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