SI7960DP-T1-GE3
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| Numero di parte | SI7960DP-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7960DP-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5361 pcs | Scheda dati | Si7960DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 21 mOhm @ 9.7A, 10V | Potenza - Max | 1.4W |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi | SI7960DP-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A |
| Numero di parte base | SI7960 |
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