SI7956DP-T1-E3
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| Numero di parte | SI7956DP-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.674 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI7956DP-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 46123 pcs | Scheda dati | SI7956DP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 105 mOhm @ 4.1A, 10V | Potenza - Max | 1.4W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi | SI7956DP-T1-E3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 150V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A | Numero di parte base | SI7956 |
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