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SI5915BDC-T1-E3

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Numero di parte SI5915BDC-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4596 pcs
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Numero di parte SI5915BDC-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4596 pcs Scheda dati SI5915BDC
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V Potenza - Max 3.1W
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 4V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 8V Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A Numero di parte base SI5915

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