SI5906DU-T1-GE3
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| Numero di parte | SI5906DU-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI5906DU-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4267 pcs | Scheda dati | SI5906DU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 31 mOhm @ 4.8A, 10V | Potenza - Max | 10.4W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Altri nomi | SI5906DU-T1-GE3-ND SI5906DU-T1-GE3TR SI5906DUT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
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