SI5902BDC-T1-E3
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| Numero di parte | SI5902BDC-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.562 | $0.496 | $0.392 | $0.304 | $0.24 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI5902BDC-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 89531 pcs | Scheda dati | SI5902BDC |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Potenza - Max | 3.12W | imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead | Altri nomi | SI5902BDC-T1-E3CT |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A (Tc) 3.12W Surface Mount | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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