SI5855CDC-T1-E3
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| Numero di parte | SI5855CDC-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI5855CDC-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5372 pcs | Scheda dati | SI5855CDC |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ | Serie | LITTLE FOOT® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi | SI5855CDC-T1-E3-ND SI5855CDC-T1-E3TR SI5855CDCT1E3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 276pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 3.7A (Tc) 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Tc) |
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- Parte#:
C0805C472J5REC7210 - Produttori:
KEMET - Descrizione:
CAP CER 0805 4.7NF 50V X7R 5% - Disponibile:
1335179