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SI4973DY-T1-E3

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Numero di parte SI4973DY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5978 pcs
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Numero di parte SI4973DY-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5978 pcs Scheda dati SI4973DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 23 mOhm @ 7.6A, 10V Potenza - Max 1.1W
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI4973DY-T1-E3TR temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.8A 1.1W Surface Mount 8-SO Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A
Numero di parte base SI4973

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