SI4963BDY-T1-E3
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| Numero di parte | SI4963BDY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.542 | $0.48 | $0.379 | $0.294 | $0.232 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4963BDY-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 93074 pcs | Scheda dati | SI4963BDY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.4V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V | Potenza - Max | 1.1W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4963BDY-T1-E3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.9A 1.1W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A | Numero di parte base | SI4963 |
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