SI4936CDY-T1-E3
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| Numero di parte | SI4936CDY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.095 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4936CDY-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 225731 pcs | Scheda dati | SI4936CDY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 40 mOhm @ 5A, 10V | Potenza - Max | 2.3W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 27 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.8A 2.3W Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A |
| Numero di parte base | SI4936 |
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