SI4943BDY-T1-GE3
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| Numero di parte | SI4943BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.369 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4943BDY-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 104351 pcs | Scheda dati | SI4943BDY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 19 mOhm @ 8.4A, 10V | Potenza - Max | 1.1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 15 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A |
| Numero di parte base | SI4943 |
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- Parte#:
3131-CF1PT-000000-1Y2-2A - Produttori:
E-T-A - Descrizione:
CIRCUIT BREAKER THRM 2A 32VDC - Disponibile:
3861