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SI4670DY-T1-E3

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Numero di parte SI4670DY-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 106347 pcs
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Numero di parte SI4670DY-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 106347 pcs Scheda dati SI4670DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 23 mOhm @ 7A, 10V Potenza - Max 2.8W
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SI4670DY-T1-E3DKR temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 27 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 13V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 25V Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A Numero di parte base SI4670

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