SI4668DY-T1-GE3
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| Numero di parte | SI4668DY-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.22 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4668DY-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 104672 pcs | Scheda dati | SI4668DY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 15A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4668DY-T1-GE3TR SI4668DYT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 21 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1654pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 25V 16.2A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16.2A (Tc) |
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Schurter - Descrizione:
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