SI4590DY-T1-GE3
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| Numero di parte | SI4590DY-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.406 | $0.354 | $0.273 | $0.202 | $0.162 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4590DY-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 149353 pcs | Scheda dati | SI4590DY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 57 mOhm @ 2A, 10V | Potenza - Max | 2.4W, 3.4W |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4590DY-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 50V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A, 2.8A |
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