SI4563DY-T1-E3
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| Numero di parte | SI4563DY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4563DY-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5209 pcs | Scheda dati | SI4563DY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 16 mOhm @ 5A, 10V | Potenza - Max | 3.25W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SI4563DY-T1-E3TR SI4563DYT1E3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Numero di parte base | SI4563 |
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- Parte#:
550AJ64M1520DG - Produttori:
Energy Micro (Silicon Labs) - Descrizione:
VCXO; DIFF/SE; SINGLE FREQ; 10-1 - Disponibile:
6164