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SI3850ADV-T1-E3

SI3850ADV-T1-E3
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Numero di parte SI3850ADV-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4619 pcs
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Numero di parte SI3850ADV-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4619 pcs Scheda dati SI3850ADV
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 300 mOhm @ 500mA, 4.5V Potenza - Max 1.08W
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi SI3850ADV-T1-E3CT
SI3850ADVT1E3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V Tipo FET N and P-Channel, Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 1.4A, 960mA 1.08W Surface Mount 6-TSOP Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A, 960mA
Numero di parte base SI3850

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