SI3430DV-T1-GE3
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| Numero di parte | SI3430DV-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.437 | $0.387 | $0.306 | $0.237 | $0.187 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI3430DV-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 126900 pcs | Scheda dati | SI3430DV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 170 mOhm @ 2.4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.14W (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi | SI3430DV-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
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