SI3424DV-T1-GE3
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| Numero di parte | SI3424DV-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI3424DV-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4048 pcs | Scheda dati | SI3424DV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 800mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 28 mOhm @ 6.7A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.14W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 5A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
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