SI2329DS-T1-GE3
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| Numero di parte | SI2329DS-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.254 | $0.222 | $0.172 | $0.127 | $0.102 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI2329DS-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 217551 pcs | Scheda dati | SI2329DS-T1-GE3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 800mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±5V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.3A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | SI2329DS-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1485pF @ 4V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 8V | Descrizione dettagliata | P-Channel 8V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
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