SI2327DS-T1-E3
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| Numero di parte | SI2327DS-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI2327DS-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5165 pcs | Scheda dati | SI2327DS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.35 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | SI2327DS-T1-E3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | P-Channel 200V 380mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 380mA (Ta) |
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