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SI1442DH-T1-GE3

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Numero di parte SI1442DH-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 529655 pcs
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Numero di parte SI1442DH-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 529655 pcs Scheda dati SI1442DH
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 20 mOhm @ 6A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi SI1442DH-T1-GE3TR
SI1442DHT1GE3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 8V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 12V Descrizione dettagliata N-Channel 12V 4A (Ta) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)

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