SI1424EDH-T1-GE3
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| Numero di parte | SI1424EDH-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.194 | $0.152 | $0.104 | $0.072 | $0.054 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1424EDH-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 376780 pcs | Scheda dati | SI1424EDH-T1-GE3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 33 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) | imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Altri nomi | SI1424EDH-T1-GE3DKR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 8V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 4A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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