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SI1404BDH-T1-E3

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Numero di parte SI1404BDH-T1-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 225963 pcs
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Numero di parte SI1404BDH-T1-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 225963 pcs Scheda dati SI1404BDH
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 238 mOhm @ 1.9A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 1.9A (Ta), 2.37A (Tc) 1.32W (Ta), 2.28W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)

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