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SI1401EDH-T1-GE3

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Numero di parte SI1401EDH-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 298895 pcs
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Numero di parte SI1401EDH-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 298895 pcs Scheda dati SI1401EDH
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±10V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 34 mOhm @ 5.5A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi SI1401EDH-T1-GE3CT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 8V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 12V
Descrizione dettagliata P-Channel 12V 4A (Tc) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)

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