SI1079X-T1-GE3
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| Numero di parte | SI1079X-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.049 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1079X-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 463092 pcs | Scheda dati | SI1079X |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-89-6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.4A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 330mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 1.44A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.44A (Ta) |
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