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SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3
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Numero di parte SI1078X-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 479166 pcs
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Numero di parte SI1078X-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 479166 pcs Scheda dati SI1078X
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® Rds On (max) a Id, Vgs 142 mOhm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 240mW (Tc) imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 Altri nomi SI1078X-T1-GE3DKR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 1.02A (Tc) 240mW (Tc) Surface Mount Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.02A (Tc)

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