SI1050X-T1-GE3
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| Numero di parte | SI1050X-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.22 | $0.185 | $0.139 | $0.102 | $0.079 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1050X-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 294151 pcs | Scheda dati | SI1050X |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±5V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-89-6 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 236mW (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | SI1050X-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 4V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 8V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 8V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.34A (Ta) |
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