SI1039X-T1-GE3
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| Numero di parte | SI1039X-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1039X-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4223 pcs | Scheda dati | Si1039X |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-89-6 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 165 mOhm @ 870mA, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 170mW (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | SI1039X-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 12V 870mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 870mA (Ta) |
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