SI1029X-T1-E3
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| Numero di parte | SI1029X-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V SOT563F |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1029X-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V SOT563F | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4076 pcs | Scheda dati | Si1029X |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-89-6 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 500mA, 10V | Potenza - Max | 250mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | SI1029X-T1-E3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 305mA, 190mA |
| Numero di parte base | SI1029 |
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