SI1026X-T1-GE3
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| Numero di parte | SI1026X-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.06 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1026X-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 378357 pcs | Scheda dati | Si1026X |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-89-6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 500mA, 10V | Potenza - Max | 250mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | SI1026X-T1-GE3TR SI1026XT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 305mA | Numero di parte base | SI1026 |
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