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SI1013R-T1-GE3

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Numero di parte SI1013R-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 414177 pcs
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Numero di parte SI1013R-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 414177 pcs Scheda dati Si1013R,X
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±6V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SC-75A Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro SC-75A
Altri nomi SI1013R-T1-GE3TR
SI1013RT1GE3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 350mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 350mA (Ta)

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